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Ordering number : ENA1479A
ATP102
P-Channel Power MOSFET
–30V, –40A, 18.5m Ω , Single ATPAK
Features
http://onsemi.com
?
?
?
Low ON-resistance
Slim package
Halogen free compliance
?
?
?
Large current
4.5V drive
Protection diode in
Speci ? cations
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Conditions
Ratings
--30
±20
--40
Unit
V
V
A
Drain Current (PW ≤ 10 μ s)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Avalanche Energy (Single Pulse) *1
Avalanche Current *2
IDP
PD
Tch
Tstg
EAS
IAV
PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
Tc=25 ° C
--120
40
150
--55 to +150
58
20
A
W
°C
°C
mJ
A
Note : * 1 VDD=10V, L=200 μ H, IAV=20A
* 2 L ≤ 200 μ H, Single pulse
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7057-001
ATP102-TL-H
Product & Package Information
? Package : ATPAK
? JEITA, JEDEC : -
? Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel
6.5
1.5
4.6
Packing Type: TL
Marking
2.6
4
0.4
0.4
ATP102
LOT No.
TL
Electrical Connection
4,2
1
2
3
0.55
0.8
0.6
0.4
1 : Gate
2.3
2.3
2 : Drain
1
3 : Source
4 : Drain
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
July, 2013
ATPAK
3
61312 TKIM/52709PA MSIM TC-00001968 No. A1479-1/7
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